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Insider-Einblicke: Infineon Technologies Silicon Carbide CoolSiC™
Mai 20, 2021 in Alle, EIT 2021, Große Bandlücke, Leistung von Paul Golata
Paul Golata
CoolSiC™ Siliziumkarbid-MOSFETs und -Dioden von Infineon Technologies bieten ein Portfolio, das alle Anforderungen für smartere, effizientere Applikationen für die Energieerzeugung, Energieübertragung und den Energieverbrauch erfüllt. Die Trench-MOS-Technologie von Infineon ist wegweisend für das Leistungsmanagement.
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Tags: Breite Bandlücke, CoolSic, Dioden, Infineon Technologies, Leistungsmanagement, MOSFET, MOSFETs, SiC, Siliziumkarbid, Trench-MOS Technologie
Schnelleres Laden von Elektrofahrzeugen mit SiC
Mai 17, 2021 in Alle, Automotive, Batterie, Elektrofahrzeug, Große Bandlücke von Marcel Consée
Marcel Consée
Ladegeschwindigkeit, Batteriekapazität und geringe Verluste sind in den Augen potenzieller E-Autobesitzer die größten Herausforderungen der Elektromobilität. SiC-basierte Halbleiterbauelemente können selbst die schärfsten Kritiker überzeugen.
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Tags: WBG, Breite Bandlücke, E-Auto, Elektromobilität, Laden, Leistungshalbleiter, On Semiconductor, SiC, Siliziumkarbid

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